Com o rápido desenvolvimento da inteligência artificial e do big data, a demanda por armazenamento de dados cresceu drasticamente e os requisitos para tecnologia de armazenamento tornaram-se mais exigentes. Nesse contexto, a competição na indústria de memória tornou-se cada vez mais intensa, e a competição tecnológica entre os gigantes está a todo vapor.
Pode-se dizer que a indústria de memória está inaugurando uma revolução tecnológica sem precedentes em meio a uma era repleta de desafios e oportunidades. Somente buscando a excelência e alcançando novos patamares podemos permanecer invencíveis nessa competição acirrada.
Flash NAND
Os fabricantes de flash NAND têm buscado aumentar a densidade de armazenamento de seus dispositivos, aumentando o número de bits armazenados por célula. Embora esta seja fundamentalmente a maneira mais desafiadora de aumentar a densidade de gravação, também é a mais valiosa de uma perspectiva de custo.
De acordo com relatos na imprensa coreana, a Samsung atingirá a produção em massa do flash V-NAND Gen 9 já neste mês.
O executivo da Samsung, Jung-Bae Lee, disse em outubro passado que sua memória flash NAND de próxima geração, com um número líder do setor de camadas empilhadas, estaria em produção em volume no início de 2024.
NAND vertical
A Samsung produziu em massa 236 camadas de V-NAND Gen 8 em novembro de 2022, antes de produzir a próxima geração cerca de um ano e meio depois. Relatórios indicam que a 9ª geração de memória flash NAND vertical terá uma pilha de 290 camadas.
A NAND vertical, uma tecnologia flash maravilhosa, não se contenta mais com uma estrutura plana, mas empilha camadas de circuitos em uma estrutura tridimensional. À medida que o número de camadas de chips de memória flash NAND continua a aumentar, o custo é gradualmente reduzido, a capacidade individual do chip aumenta e a utilização do espaço é significativamente melhorada. Este design inovador não apenas altera o layout tradicional do circuito, mas também abre novas possibilidades para o desenvolvimento tecnológico futuro.
Estrutura da Memória Flash NAND
A NAND vertical de 9ª geração da Samsung seguirá a estrutura de pilhas flash duplas para realizar processos mais simples e custos de fabricação mais baixos. A nova arquitetura do flash NAND vertical de 10ª geração da Samsung, com lançamento previsto para o próximo ano, aumentará ainda mais o número máximo de pilhas possíveis para flash 3D, embora também aumente a complexidade da tecnologia.
Mercado de Flash NAND
O mercado de flash NAND atingiu um ponto de saturação com o crescimento acelerado em áreas como big data, IoT e data centers. No entanto, isso não impediu os fabricantes de flash NAND. Em vez disso, eles estão acelerando o ritmo de atualizações tecnológicas e expansão de mercado, competindo pela supremacia no mercado de memória flash NAND.
Um aumento no número de camadas da pilha NAND faz diferença no desempenho?
Teoricamente, quanto menor o número de camadas empilhadas, menor o consumo de energia. Pilhas NAND verticais consomem mais energia com mais camadas, mas este é um caso teórico de leitura de apenas um bit de dados.
Na realidade, a memória flash NAND lê dados em lotes, e o consumo de energia pode ser distribuído uniformemente entre a ação de leitura de cada célula. O consumo de energia de leitura da memória flash NAND já é muito baixo, e as melhorias no processo reduziram o consumo de energia, portanto, aumentar o número de camadas empilhadas de NAND tem um impacto insignificante no consumo de energia da bateria do dispositivo.
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