Con el rápido desarrollo de la inteligencia artificial y el big data, la demanda de almacenamiento de datos ha crecido dramáticamente, y los requisitos para la tecnología de almacenamiento se han vuelto más exigentes. En este contexto, la competencia en la industria de la memoria se ha intensificado cada vez más, y la batalla tecnológica entre los gigantes está en pleno auge.
Se puede decir que la industria de la memoria está viviendo una revolución tecnológica sin precedentes en esta era llena de retos y oportunidades. Solo persiguiendo la excelencia y escalando nuevos horizontes podemos mantenernos invencibles en la feroz competencia.
NAND Flash
Los fabricantes de NAND flash han estado intentando aumentar la densidad de almacenamiento de sus dispositivos incrementando el número de bits almacenados por celda. Aunque esta es fundamentalmente la forma más desafiante de aumentar la densidad de grabación, también es la más valiosa desde el punto de vista del costo.
Según informes de la prensa coreana, Samsung logrará la producción en masa de la generación 9 de V-NAND flash tan pronto como este mes.
El ejecutivo de Samsung Jung-Bae Lee dijo en octubre pasado que su memoria NAND flash de próxima generación, con un número líder en la industria de capas apiladas, estaría en producción en volumen a principios de 2024.
Vertical NAND
Samsung produjo en masa 236 capas de la generación 8 de V-NAND en noviembre de 2022, y se espera que la próxima generación, lanzada aproximadamente un año y medio después, cuente con 290 capas apiladas.
El Vertical NAND, una tecnología flash maravillosa, ya no se conforma con un diseño planar, sino que apila capas de circuitos en una estructura tridimensional. A medida que el número de capas de chips de memoria NAND flash sigue aumentando, el costo se reduce gradualmente, la capacidad de cada chip se vuelve mayor y la utilización del espacio se mejora considerablemente. Este diseño innovador no solo cambia la disposición tradicional del circuito, sino que también abre nuevas posibilidades para el desarrollo tecnológico futuro.
Estructura de la memoria NAND Flash
La novena generación de vertical NAND de Samsung seguirá una estructura de pilas dobles para simplificar procesos y reducir costos de fabricación. La arquitectura nueva para la décima generación de vertical NAND flash, que se espera lanzar el próximo año, aumentará aún más el número máximo posible de pilas para la memoria 3D flash, aunque también incrementará la complejidad tecnológica.
Mercado de NAND Flash
El mercado de NAND flash ha alcanzado un punto de saturación debido al auge en áreas como big data, IoT y centros de datos. Sin embargo, esto no ha detenido a los fabricantes de NAND flash, que están acelerando el ritmo de las actualizaciones tecnológicas y la expansión del mercado, compitiendo por la supremacía en este sector.
¿El aumento en el número de capas apiladas en NAND hace una diferencia en el rendimiento?
Teóricamente, mientras menor sea el número de capas apiladas, menor será el consumo de energía. Las pilas verticales NAND consumen más energía a medida que aumentan las capas, pero esto es un caso teórico al leer solo un bit de datos.
En la práctica, la NAND flash lee los datos en lotes, y el consumo de energía se distribuye de manera uniforme en cada acción de lectura de las celdas. El consumo energético al leer NAND flash ya es muy bajo, y las mejoras en los procesos han reducido aún más el consumo, por lo que el aumento en el número de capas apiladas tiene un impacto despreciable en el consumo energético de la batería del dispositivo.
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