据韩国媒体报道，三星最早将于本月晚些时候实现第九代垂直NAND闪存的量产。
三星高管李正培去年10月表示，其下一代NAND闪存拥有业界领先的堆叠层数，将于2024年初实现量产。
垂直NAND
三星于2022年11月量产了236层的第八代垂直NAND闪存，大约一年半后开始生产下一代产品。报道显示，第九代垂直NAND闪存将采用290层堆叠结构。
垂直NAND闪存是一种卓越的闪存技术，它不再满足于平面布局，而是将电路层堆叠成三维结构。随着NAND闪存芯片层数的不断增加，成本逐渐降低，单芯片容量增大，空间利用率也大幅提升。这种创新设计不仅改变了传统的电路布局，也为未来的技术发展开辟了新的可能性。
NAND闪存结构
三星的第九代垂直NAND闪存将采用双闪存堆叠结构，以实现更简化的工艺和更低的制造成本。三星第十代垂直 NAND 闪存的新架构预计将于明年发布，它将进一步增加 3D 闪存的最大堆叠数量，但同时也会增加技术的复杂性。
NAND 闪存市场
随着大数据、物联网和数据中心等领域的蓬勃发展，NAND 闪存市场已趋于饱和。然而，这并没有阻止 NAND 闪存制造商继续扩张。相反，它们正在加快技术升级和市场扩张的步伐，争夺NAND闪存市场的霸主地位。
增加NAND堆叠层数会对性能产生影响吗？
理论上，堆叠层数越少，功耗越低。垂直NAND堆叠层数越多，功耗越高，但这只是读取单个数据比特的理论情况。
实际上，NAND闪存是以批次方式读取数据的，功耗可以均匀地分配到每个单元的读取操作中。
NAND闪存的读取功耗已经非常低，而且工艺改进进一步降低了功耗，因此增加NAND堆叠层数对设备的电池功耗影响微乎其微。如果本文仍然无法解决您的笔记本电脑电池问题，您可以在BatteryMall.com购买新电池！
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